李拥华

作品数：7被引量：9H指数：2
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发文领域：理学自动化与计算机技术化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《中国激光》《物理学报》《功能材料与器件学报》《中国科学：化学》更多>>
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Ca对氧化铝晶界处氧空位扩散的活化机理
《上海大学学报（自然科学版）》2020年第4期562-569,共8页马帅 李拥华 高裕博 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11004128)。
通过第一性原理方法计算了α-Al2O3的∑3(1010)晶界处Ca偏析对时氧空位(oxygen vacancy,VO)形成能和扩散势垒的影响。Ca偏析到晶界处的稳定位置后,Ca附近VO的形成能为3.05〜4.04 eV,比没有掺杂的晶界处VO的形成能降低了2.5 eV以上;Ca附...
关键词：氧化铝 晶界 掺杂 第一性原理 
MoO_3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究被引量：1
《物理学报》2019年第10期57-63,共7页陈东运 高明 李拥华 徐飞 赵磊 马忠权 
国家自然科学基金(批准号:61874070;61674099;61274067);索朗光伏材料与器件R&D联合实验室基金(批准号:SSE0700601)资助的课题~~
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过模拟MoO_3/Si界面反应,研究了MoO_x薄膜沉积中原子、分子的吸附、扩散和成核过程,从原子尺度阐明了缓冲层钼掺杂非晶氧化硅(a-SiO_x(Mo))物质的形成和机理.结果表明,在1500 K温度下, MoO_...
关键词：第一性原理 MoO3/Si界面反应 钼掺杂非晶氧化硅 形成能 
掺杂非晶氧化硅薄膜中三元化合态与电子结构的第一性原理计算
《物理学报》2017年第18期284-290,共7页万亚州 高明 李勇 郭海波 李拥华 徐飞 马忠权 
国家自然科学基金(批准号:61674099,61274067,60876045);索朗光伏材料与器件R&D联合实验室基金(批准号:SSE0700601)资助的课题~~
基于密度泛函理论和分子动力学方法,研究了ITO-SiO_x(In,Sn)/n-Si异质结光伏器件中非晶SiO_x层的氧化态和电子结构.计算结果表明:具有钝化隧穿功能的超薄(<2 nm)非晶SiO_x层,是由In,Sn,O,Si四种元素相互扩散形成的,其中In,Sn元素在SiO_...
关键词：非晶SiO_x层 密度泛函理论 异质结太阳电池 量子隧穿 
基于微机电系统的法布里珀罗可调光滤波器被引量：2
《中国激光》2017年第6期224-232,共9页郭智慧 李拥华 杨恒 钟少龙 
国家重大科学仪器设备开发专项(2012YQ250002)
为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔...
关键词：光纤光学 微机电系统 法布里-珀罗腔 可调光滤波器 静电驱动 
水在金红石型TiO_2(110)表面<001>阶梯边缘吸附的第一性原理研究被引量：6
《中国科学：化学》2012年第6期806-814,共9页洪峰 徐文娟 倪宇恒 马忠权 李拥华 徐飞 
国家自然科学基金项目(60876045;11104117)资助
利用第一性原理计算方法,研究了水在金红石型TiO2(110)表面及<001>阶梯边缘处的吸附.关于水在(110)表面上的吸附,研究表明,对不同的吸附率,水都是以分子模式吸附在表面.关于水在<001>阶梯边缘处的吸附,研究表明,其吸附模式和吸附率有密...
关键词：二氧化钛 水 吸附 阶梯 第一性原理 
铜铟硒与铜铟硫太阳能电池中有序缺陷化合物的性质及对能带偏移的影响
《上海大学学报（自然科学版）》2012年第3期271-276,共6页余斌 徐飞 马忠权 周平华 石建伟 郑玲玲 李拥华 洪峰 
上海市重点学科建设资助项目(S30105)
利用第一性原理模拟计算铜铟硒(CIS)太阳能电池CIS吸收层,及CIS中普遍存在的有序缺陷化合物(ordered defect compound,ODC)CuIn_5Se_8的性质.依据CuIn_5Se_8形成的方式,结合对称性越高、能量越低的原则,建立CuInS_2中的ODC-CuIn_5S_8结...
关键词：第一性原理计算 太阳能电池 有序缺陷化合物 价带偏移 p-d耦合 
采用180nm CMOS工艺的USB2.0端点控制器(英文)
《功能材料与器件学报》2009年第4期389-393,共5页詹琰 潘利坤 赵占霞 李拥华 王德明 马忠权 
上海高校优秀青年教师科研专项(No.B.37-0101-07-705);上海大学创新基金(No.A.10-0101-07-437)
采用Verilog硬件描述语言设计了用于USB2.0设备控制中的端点控制器。端点数可由用户配置最多达16个。支持8位/16位USB接口,并支持8位/16位/32位AHB或8051接口以及32位的DMA接口。该端点控制器采用180nm CMOS工艺进行流片,所有功能均通...
关键词：USB2.0 端点控制器 VERILOG硬件描述语言 CMOS 
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