许仕龙

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：SI衬底LA0.8SR0.2MNO3TA2O5TA溅射更多>>
发文领域：理学金属学及工艺电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料》《无机材料学报》《稀有金属》《材料保护》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金科技部基础研究重大项目前期研究专项国家自然科学基金更多>>
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高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征被引量：1
《材料保护》2005年第1期9-12,共4页蔡志海 杜玉萍 谭俊 张平 赵军军 黄安平 许仕龙 严辉 
国家自然科学基金资助项目 (5 99710 6 5 )
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c ...
关键词：立方氮化硼薄膜 射频磁控溅射 拉曼光谱分析 
Si衬底上SrMnO_3缓冲层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜择优取向生长的影响
《稀有金属》2004年第6期963-966,共4页杜永胜 王波 许仕龙 于敦波 李彤 严辉 张深根 
北京市自然科学基金重点项目 (G2 0 2 1 0 0 3) ;科技部重大基础研究前期研究专项项目 (G2 0 0 2CCC0 1 30 0 )
利用磁控溅射方法在 (1 0 0 )Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层 ,再沉积得到了 (1 1 0 )择优取向生长的La0 .8Sr0 .2 MnO3(LSMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明 :当沉积...
关键词：LSMO薄膜 SMO缓冲层 择优取向生长 
衬底负偏压对溅射Ta_2O_5薄膜晶化温度及介电性能的影响
《无机材料学报》2004年第3期701-704,共4页许仕龙 朱满康 黄安平 王波 严辉 
北京市自然科学基金(2021003)
采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta_2O_5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta_2O_5薄膜的晶化温度,改善了其...
关键词：TA2O5 介电薄膜 晶化温度 衬底负偏压 
Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究
《功能材料》2004年第z1期620-622,629,共4页杜永胜 王波 许仕龙 于敦波 李彤 严辉 张深根 
北京市自然科学基金重点项目(G2021003);科技部重大基础研究前期研究专项项目(G2002CCC01300)
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散...
关键词：LSMO薄膜 SMO缓冲层 择优取向生长 界面扩散 
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