许楠楠

作品数:8被引量:16H指数:3
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供职机构:兰州大学核科学与技术学院更多>>
发文主题:单晶辐照损伤中子金红石TIO更多>>
发文领域:理学机械工程核科学技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《原子核物理评论》《有机硅材料》《核技术》《计算机应用研究》更多>>
所获基金:国家重点实验室开放基金国家自然科学基金磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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有机硅环氧漆膜γ射线辐照结构分析
《有机硅材料》2024年第4期15-20,32,共7页许楠楠 李公平 李彤 刘同环 丁晶洁 李华明 雍涛 曾慧崇 王乃迪 彭乃卫 彭宁馨 
甘肃省科技重大专项(21ZD8JA002)。
对自制的耐辐射环氧(EP)涂料漆膜和有机硅环氧(SiEP)涂料漆膜样品同时开展了11 Gy/s、总辐照剂量5×10~7 Gy的大剂量γ射线辐照工作。测试了EP和SiEP样品辐照前后的机械性能和附着力;通过红外光谱对比分析了EP和SiEP样品在该辐照条件下...
关键词:耐核辐射 环氧 Γ辐照 氧化 降解 有机硅 防护涂层 
中子对碲锌镉辐照损伤模拟研究被引量:1
《物理学报》2022年第22期220-229,共10页魏雯静 高旭东 吕亮亮 许楠楠 李公平 
国家自然科学基金(批准号:11975006,11575074);兰州大学特殊功能材料与结构设计教育部重点实验室(B类)2021年开放课题(批准号:lzujbky-2021-kb06)资助的课题。
碲锌镉探测器长期暴露于辐射环境下时,会形成不同程度的辐照损伤,影响器件性能甚至失效,极大缩短探测器在辐射场中的服役时限.本文首先利用Geant4程序包对能量为1.00—14.00 MeV的中子在碲锌镉中的输运过程进行模拟,获取初级离位原子的...
关键词:中子辐照 碲锌镉 辐照损伤 Geant4模拟 
金红石TiO_2本征缺陷磁性的第一性原理计算被引量:7
《物理学报》2017年第3期302-315,共14页林俏露 李公平 许楠楠 刘欢 王苍龙 
国家自然科学基金(批准号:11575074;11304324);山东大学晶体材料国家重点实验室开放基金(批准号:KF1311)资助的课题~~
基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法模拟计算了金红石相TiO_2的四种本征缺陷(氧空位、钛空位、钛间隙缺陷、氧间隙缺陷)和两种复合缺陷(氧空位与氧间隙复合缺陷、钛空位与钛间隙复合缺陷)的铁磁特性.结合态密度、电子分布及晶体结构...
关键词:第一性原理 本征缺陷 态密度 自旋磁矩 
Cu离子注入单晶TiO_2微结构及光学性质的模拟研究被引量:5
《物理学报》2016年第20期185-193,共9页刘欢 李公平 许楠楠 林俏露 杨磊 王苍龙 
国家自然科学基金(批准号:11575074);中央高校基本科研业务费(批准号:lzujbky-2015-240)资助的课题~~
TiO_2是一种新型的第三代半导体材料,具有重要的应用价值.Cu离子掺杂单晶金红石TiO_2,可以改善TiO_2对光谱的响应范围,提高转化效率.本文利用第一性原理分别研究了Cu离子填隙、Cu替代Ti、氧空位、钛空位以及含有复合缺陷时金红石TiO_2...
关键词:金红石 能带结构 光学性质  
基于投影缺失正弦图的CT图像重建研究被引量:1
《计算机应用研究》2015年第2期609-612,共4页骆岩红 李公平 文茜 许楠楠 
中央高校资助项目(319201300160)
通过对不完全投影重建的图像结果和正弦图对投影空间的数据分布情况进行分析,并根据工件较敏感部位的位置、形状和密度信息,对缺失的投影数据进行适当的补充。在此基础上,利用滤波反投影算法对补充后的正弦图进行图像的重建。经过实验验...
关键词:CT图像重建 正弦图 解析算法 滤波反投影算法 
多种图像采集策略下X射线折射信息的提取研究被引量:4
《物理学报》2014年第10期150-161,共12页王云波 李公平 潘小东 许楠楠 
中央高等学校基本科研基金(批准号:860452)资助的课题~~
不同的图像采集策略下,基于分析晶体相衬成像技术的折射信息提取方法(衍射增强成像法、广义衍射增强成像法、多图成像法)的折射角提取结果有明显的差异.与摇摆曲线腰位作为图像采集位置的传统策略相比,采集位置靠近摇摆曲线中轴时,衍射...
关键词:折射信息提取 图像采集 相衬成像技术 摇摆曲线 
Co^+离子注入单晶TiO_2铁磁性来源与微结构研究
《原子核物理评论》2012年第4期414-418,共5页钟火平 李公平 许楠楠 李天晶 龚恒风 陈景升 
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题(LZUMMM2010012);山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF0901)~~
在室温下,将能量为80keV,注量分别为1×1016和1×1017ions/cm2的Co+离子注入到10mm×10mm×0.5mm的单晶TiO2样品。在氮气保护下,Co+离子注量为1×1017ions/cm2时样品在温度为900℃的条件下退火30min。利用超导量子干涉仪(SQUID)测量样...
关键词:稀磁半导体 单晶TiO2 铁磁性 离子注入 EXAFS 
D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性
《核技术》2012年第2期98-103,共6页许楠楠 李公平 王云波 钟火平 李天晶 龚恒凤 王宝义 李卓昕 
山东大学晶体材料国家重点实验室基金(KF0901);兰州大学自然科学类中央高校基本科研专项(860452)资助
利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生...
关键词:单晶TiO2 D—D中子 辐照损伤 正电子 
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