郑渝

作品数：9被引量：14H指数：2
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一种昼夜兼容成像EMCCD图像传感器被引量：2
《红外技术》2023年第3期315-321,共7页白雪平 钟玉杰 杨洪 郑渝 何达 易学东 黄芳 
本文设计制作了一款阵列规模为1024×1024元、像元尺寸为10μm×10μm的昼夜兼容成像EMCCD(electron multiplying charge coupled device),该器件包含国内首次制作的浮置栅放大器,该放大器电荷转换因子(Charge to voltage factor,CVF)为...
关键词：场景内可切换增益 浮置栅放大器 抗光晕 电子倍增 图像传感器 
CCD图像传感器及其视频信号处理电路的应用被引量：1
《电子技术与软件工程》2018年第11期110-110,共1页郑渝 
文章对CCD(电荷耦合器件)的工作原理及视频信号处理芯片进行描述,并介绍了专用CCD信号处理芯片的VSP2212结构特点。
关键词：电荷耦合器件(CCD) 视频信号处理 VSP2212 CDS 
高帧频64×64元蓝光响应增强CCD被引量：3
《半导体光电》2016年第5期615-617,706,共4页汪朝敏 郑渝 董杰 王小东 白雪平 
为了实现对快速运动目标的跟踪成像或记录其快速变化的过程,研制了一种高帧频64×64元蓝光响应增强CCD。该器件的存储区采用漏斗形结构以提高其工作频率,光敏元采用多蓝光窗口来提高其蓝光响应,衬底采用较高的电阻率50Ω·cm从而提高了...
关键词：高帧频 CCD MPP 蓝光窗口 
823×592元内线转移CCD图像传感器
《半导体光电》2015年第6期905-908,共4页杨洪 雷仁方 郑渝 吕玉冰 翁雪涛 
采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。
关键词：内线转移CCD 光电特性 纵向抗晕 
CCD纵向溢出漏结构工艺仿真与实现被引量：3
《半导体光电》2013年第5期775-777,共3页雷仁方 王晓强 杨洪 吕玉冰 郑渝 李利民 
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析,发现抗晕势垒是纵向溢出漏结构能否实现抗晕功能的关键,决定了抗晕能力的...
关键词：CCD 抗晕能力 纵向溢出漏 仿真 
CCD组件靶面脏斑成因分析及解决方法
《半导体光电》2010年第2期260-262,共3页杨亚生 周旭东 陈林 邓艳红 熊明昌 郑渝 吴琼瑶 
通过三项试验,找到了CCD摄像机组件靶面脏斑形成的原因。潮湿的自然环境、温度变化和运输振动三个因素促成CCD组件机壳内的水汽吸附灰尘,凝聚到芯片靶面上形成脏斑。提出了解决脏斑问题的具体方法。通过在CCD组件的装配、包装过程中采...
关键词：CCD 脏斑 试验 
CCD MPP结构制作工艺技术研究被引量：2
《半导体光电》2009年第6期867-869,共3页雷仁方 杜文佳 李睿智 郑渝 翁雪涛 李金 
中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金项目(2008625101G04)
在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-Pinned Phase)结构设计和工艺制作。制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的产生。当MPP注入剂量为(6±2)×1011cm-2时,其暗电流密度下降...
关键词：CCD MPP 暗电流密度 满阱电荷 
一种高信噪比科学级CCD数据转换系统
《半导体光电》2007年第4期588-591,共4页龙再川 宋备刚 杜昊 郑渝 赵凯生 
讨论了适应科学级CCD发展要求的高性能数据转换系统。在分析科学级CCD数据转换系统结构后,提出了一种以ADS1606为模数转换器的数据转换系统,详细说明了对应CDS结构,模数转换和FPGA的设计方法,以及系统电源和PCB的设计要点。测试结果表明...
关键词：科学级CCD 信噪比 噪声 模数转换 
高速电子快门CCD摄像组件被引量：3
《半导体光电》2005年第B03期137-139,共3页龙再川 郑渝 
研究了用于捕获快速变化图像的纳秒级曝光CCD组件，以提高CCD对图像的时间分辨率。采用FPGA控制电子快门时间。捕获图像经像增强器放大后，由荧光屏耦合到CCD光敏面；CCD输出信号经A／D数模转换，存入SRAM，然后计算机控制MCU，采集图...
关键词：像增强器 CCD FPGA MCU 图像处理 
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