闫书霞

作品数：5被引量：13H指数：2
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供职机构：郑州大学更多>>
发文主题：掺锗掺杂CZSI直拉硅场发射更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《发光学报》《人工晶体学报》《郑州大学学报（工学版）》更多>>
所获基金：河南省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
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沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响被引量：10
《发光学报》2006年第1期129-133,共5页樊志琴 闫书霞 姚宁 鲁占灵 杨仕娥 马丙现 张兵临 
河南省科技攻关项目资助项目(0324220160)
利用微波等离子体化学气相沉积（MWPCVD）方法，在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征，讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响。结果表明：不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异，...
关键词：碳纳米管 微波等离子体化学气相沉积 场发射 拉曼光谱 
15千瓦磁性联轴器磁路设计与计算被引量：3
《郑州大学学报（工学版）》2002年第2期96-98,共3页李廷占 张明成 李政育 闫书霞 
河南省科技攻关项目 (984 6 0 0 0 0 )
磁性联轴器是近年来发展起来的新型非接触型动力传输设备 ,它要求工作稳定可靠 ,经济耐用 ,还要求动力传输效率高 ,能损少 .对磁路进行优化设计 ,选择了圆柱形推拉式偶合系统 ,确定了合适的尺寸 ,并计算出了磁导和漏磁系数 .计算结果表...
关键词：磁性联轴器 磁路设计 计算 磁导 漏磁系数 
掺锗CZSi中光致发光谱的研究
《半导体杂志》1996年第3期18-20,共3页闫书霞 张维连 孙军生 
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。实验也表明：随...
关键词：直拉硅 掺杂 光致发光谱 退火 
NTDCZSi中与氧有关的PL谱
《半导体杂志》1996年第2期1-4,共4页张维连 闫书霞 孙军生 
国家自然科学基金资助项目
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过...
关键词：中子嬗变掺杂 直拉硅 光致发光 二次缺陷 
光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级
《人工晶体学报》1996年第3期266-267,共2页张维连 闫书霞 冀志江 
用光激电流法研究了Ｇｅ作为杂质掺入到Ｓｉ中可能引入的深能级，发现掺锗量小于或等于１．０ｗｔ％（重量比）时，不会在ＣＺＳｉ中引入与锗有关的深能级；锗的引入降低了硅中点缺陷的浓度。
关键词：等电子掺杂 深能级 光激电流法 掺锗 硅晶体 
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