张兴德

作品数：3被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文主题：半导体激光器大光腔波导MBE生长MBE更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《兵工学报》《中国激光》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
MBE生长高功率列阵激光器的研究
《兵工学报》2002年第3期430-432,共3页李忠辉 王玲 王玉霞 杨进华 张兴德 
利用V8 0型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW )结构。测试结果表明 ,该结构晶格和光学质量符合设计要求。制成激光器列阵 ,室温连续输出功率达7 2W ,峰值波长为 80 7～ 80 9nm ,经柱透镜光纤耦合后的光强远...
关键词：MBE 生长 分子束外延 列阵激光器 分别限制 量子阱 
梯形衬底大光腔可见光AlGaAs半导体激光器
《中国激光》1990年第3期159-162,共4页陈国鹰 刘文杰 张兴德 
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300mA,在1.5倍阈值时可实现单纵模、基横模工作。本文给出了器件的一些电学和光学特性.
关键词：半导体激光器 大光腔 ALGAAS 
TS结构半导体激光器的侧向扩展电流分布及波导分析模型
《河北工学院学报》1989年第3期88-95,共8页陈国鹰 刘文杰 张兴德 
本文给出了具有梯形衬底结构(简称 TS)半导体激光器的侧向电流扩展分布的一般表示式.将 TS 结构看成具有侧向渐变波导,提出了一种新的分析 TS 激光器稳态特性模型.
关键词：TS结构 侧向扩展电流 半导体激光器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部