翁妍

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：上海交通大学更多>>
发文主题：编码基因重组表达载体镍离子固定化DNA聚合酶更多>>
发文领域：电子电信医药卫生生物学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《生物工程学报》更多>>
所获基金：上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
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超嗜热古菌Thermococcus eurythermalis A501编码B家族DNA聚合酶的生化特性及PCR应用被引量：2
《生物工程学报》2022年第2期807-819,共13页翁妍 刘喜朋 
国家重点研发计划项目(2018YFC0310704)。
DNA聚合酶广泛应用于PCR技术,在生命科学研究及相关领域发挥重要作用。但目前商业化DNA聚合酶仍不能完全满足科研需要,有必要寻求高性能DNA聚合酶。文中克隆表达了超嗜热古菌(Thermococcus eurythermalis)A501来源的B家族DNA聚合酶基因(...
关键词：超嗜热古菌 DNA聚合酶 PolB PCR 
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下)
《半导体技术》2008年第2期93-97,共5页翁妍 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划资助项目(05PJ14068)
随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失。简述了高k材料的...
关键词：栅介质薄层 高介电常数 电学结果 
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)
《半导体技术》2008年第1期1-5,共5页翁妍 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求。高k材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的不错选择,但是大多数高k材料是离...
关键词：栅介质薄层 高介电常数 可靠性 
铜互连线内电流拥挤效应的影响被引量：1
《半导体技术》2007年第5期378-381,共4页任韬 翁妍 徐洁晶 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响。实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局...
关键词：铜互连 电流拥挤 电迁移 质量输运 有限元分析 
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