邵科

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发文主题：4H-SICMESFET频散跨导BJT更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
《电子学报》2008年第5期933-936,共4页吕红亮 张义门 张玉明 车勇 王悦湖 邵科 
国家自然科学基金(No.60606022);国防973重点基础研究发展规划(No.51327010101)
针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既...
关键词：碳化硅 MESFET 深能级陷阱 频率特性 
基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析
《微电子学》2007年第6期830-832,841,共4页邵科 曹全军 张义门 张玉明 孙明 
在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明...
关键词：4H-SIC MESFET 陷阱 跨导 漏电导 频散 
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