彭晓峰

作品数：5被引量：41H指数：3
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：碳化硅碳化硅薄膜氧化铝陶瓷高性能FTIR更多>>
发文领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《硅酸盐学报》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家攀登计划国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
α-SiC∶H薄膜的热行为研究被引量：3
《硅酸盐学报》2003年第7期654-658,共5页彭晓峰 孟佳 陈杰锋 宋力昕 胡行方 
采用射频反应溅射工艺沉积了αSiC∶H薄膜。利用微分扫描量热器 (DSC)和差热分析仪 (DTA)两种热分析方法确定了αSiC∶H薄膜的脱H过程和相转变温度 ,35 3.2℃脱Si—H和 60 2 .6℃脱C—H ,并在 10 80℃相变结晶。在氮气流保护下的光热炉...
关键词：碳化硅 氢 热处理 热分析 光学性能 
溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响被引量：3
《无机材料学报》2000年第4期717-721,共5页肖兴成 宋力昕 江伟辉 彭晓峰 胡行方 
本文利用射频磁控溅射工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉积和光学性能的影响．研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Ｓｉ、Ｃ和Ｎ两两之间形成了共价键．Ｎ分压的提高...
关键词：SiCN薄膜 磁控溅射 FTIR 光学带隙 半导体 
反应溅射Si-C-N薄膜的结构分析被引量：9
《功能材料与器件学报》2000年第1期59-63,共5页肖兴成 江伟辉 彭晓峰 宋力昕 胡行方 
国家自然科学基金! (59782 0 0 6 ) ;国家攀登计划!(0 7- 0 1)
本文用射频反应磁控溅射制备了SiCN薄膜 ,对薄膜的化学成分、结构进行了研究。结果表明 ,反应气体N2 、Si、C三者之间形成了Si-C、Si-N和C -N键 ,构成了复杂的网络结构。成分分析表明薄膜的化学计量式近似为SiCN。对比分析了反应溅射制...
关键词：SiCN薄膜 结构分析 XPS FTIR 
碳化硅晶须补强氧化铝复合材料的制备及其力学性能被引量：9
《无机材料学报》1998年第4期469-476,共8页彭晓峰 黄校先 张玉峰 
上海市发展基金资助
本论文利用商用γ-Al2O3粉体和上海硅酸盐所制备的碳化硅晶须，通过热压工艺来制备碳化硅晶须补强氧化铝复合材料．当晶须含量为30vol％时，室温下复合材料的抗弯强度为812±38MPa，断裂韧性为8．8±0．1MPa·m1／2；在1200℃、Ar气氛...
关键词：晶须补强 力学性能 碳化硅 氧化铝 复合陶瓷 
高性能细晶粒氧化铝陶瓷材料的制备与研究被引量：20
《无机材料学报》1998年第3期327-332,共6页彭晓峰 黄校先 张玉峰 
本文对商用γ－Al2O3粉体预处理后，采用热压工艺，制备了高性能细晶粒纯氧化铝陶瓷材料，1450℃／30min热压获得晶粒尺寸为0．5μm、抗弯强度为500±45MPa;1550℃／30min获得断裂韧性为5．7±0．5MPam1／2的氧化铝材料．并对氧化镁添...
关键词：细晶粒 氧化铝陶瓷 陶瓷材料 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部