晁战云

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多孔硅吸收光谱和反射光谱
《半导体光电》1997年第2期101-105,共5页徐伟弘 晁战云 汪开源 
测定了多孔硅的吸收光谱和反射光谱，结果发现其吸收边对应于可见光区域。同单晶硅相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。由多孔硅反射谱曲线。
关键词：多孔硅 特性测试 吸收光谱 反射光谱 
多孔硅深能级谱的测试
《固体电子学研究与进展》1997年第2期178-183,共6页晁战云 唐洁影 汪开源 
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析，并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。
关键词：多孔硅 深能级谱 表面态 半导能带结构 
多孔硅反射谱的测量与分析
《固体电子学研究与进展》1997年第1期50-54,共5页晁战云 徐伟弘 唐洁影 江开源 
测量了多孔硅的光反射谱，并进行了分析和讨论，得出了其能带展宽等特性。利用K－K关系，计算得出了多孔娃的折射率n等光学常数，并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析．
关键词：多孔硅 K-K关系 反射谱 半导体能带结构 
多孔硅吸收光谱的研究
《固体电子学研究与进展》1996年第4期412-416,共5页晁战云 唐洁影 汪开源 
利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层，测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域，同单晶硅吸收光谱相比，其吸收边发生了蓝移，并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变，表现为一种新的能带结构特征。
关键词：多孔硅 吸收光谱 吸收系数 半导体能带结构 
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