黄杨

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院更多>>
发文主题：总剂量效应体硅DSOISOI_MOSFET背栅更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《原子能科学技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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考虑背栅电流的DSOI MOSFET阈值电压模型研究
《原子能科学技术》2021年第12期2224-2230,共7页王可为 卜建辉 韩郑生 李博 黄杨 罗家俊 赵发展 
Supported by Youth Innovation Promotion Association CAS(2020119);National Natural Science Foundation of China(61874135,62011530040)。
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值电压与背栅电压之间的耦合机制会在背栅界面从耗尽型过度到强反型后改变,已有的模型不足以描述改变后的...
关键词：DSOI FDSOI 总剂量效应 阈值电压 背栅电压 
FinFET器件总剂量效应研究进展被引量：1
《微电子学》2020年第6期875-884,共10页张峰源 李博 刘凡宇 杨灿 黄杨 张旭 罗家俊 韩郑生 
国家自然科学基金资助项目(61874135)。
全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinFET总剂量效应的关系。对于小尺寸器件,绝缘体上硅(SOI)FinFET...
关键词：总剂量效应 体硅FinFET器件 SOI FinFET器件 新材料 
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