代月花

作品数：43被引量：53H指数：4
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发文主题：第一性原理亚阈值反相器MOSFET量子效应更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《安徽大学学报（自然科学版）》《微电子学》《现代电子技术》《数据采集与处理》更多>>
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基于统计数据的RRAM器件特性参数分析
《中国科学：信息科学》2024年第8期2021-2034,共14页柯庆 代月花 
国家自然科学基金(批准号:62274002,61874001)资助项目。
本文统计了58款不同结构和不同材料的RRAM器件结构和电学特性参数,根据参数之间的联系建立了器件特性参数的计算模型,用统计学的百分位法计算了器件数据的差异性,获得了RRAM器件参数的定量指标.根据计算结果,我们发现RRAM器件的写时间...
关键词：阻变存储器件 参数计算模型 百分位方法 统计指标 
电化学金属化阻性存储器导电细丝生长中的离子动力学研究
《物理学报》2023年第24期290-301,共12页柯庆 代月花 
国家自然科学基金(批准号:61874001,62004001,62274002)资助的课题。
以Arrhenius定律和电化学金属化器件中离子运动的超势理论作为离子运动的基础,本文建立了修正的Mott-Gurney微分方程组.虽然Mott-Gurney方程没有解析解,但采用该方程可求出离子的平均位移.再通过基于Cell的几何模型,求出平均位移与导电...
关键词：阻性存储器 Forming/Set时间 导电细丝 跃迁步长和势垒 
基于保护间隔的OFDM信号信噪比估计算法被引量：1
《数据采集与处理》2016年第2期338-346,共9页张欣冉 代月花 张孟伯 杨晓静 
国家自然科学基金(61201379)资助项目;安徽省自然科学基金(1208085QF103)资助项目
针对信噪比在OFDM信号处理中的重要作用,提出一种基于保护间隔的OFDM信号信噪比估计算法。通过对信道模型和保护间隔的分析,首先利用相关性函数完成两种不同保护间隔的OFDM信号的判别,然后根据两种不同保护间隔的结构特点,分别提出两种...
关键词：正交频分复用 信噪比 保护间隔 相关函数 
改善Si_3N_4俘获层过擦现象的第一性原理研究
《物理学报》2015年第13期99-107,共9页代月花 金波 汪家余 陈真 李宁 蒋先伟 卢文娟 李晓风 
国家自然科学基金(批准号:61376106)资助的课题~~
采用第一性原理方法对如何改善电荷俘获存储器的过擦现象进行了研究.过擦是由于氮空位中Si原子对电荷的局域能力弱导致,因此,在Si3N4超胞中分别建立了以C,N,O替换氮空位中的Si原子的缺陷结构作为本文的研究模型.分别计算了擦写之后体系...
关键词：第一性原理 过擦 氮空位 Si3 N4 SI3N4 
电荷俘获存储器的过擦现象
《物理学报》2014年第20期159-165,共7页汪家余 代月花 赵远洋 徐建彬 杨菲 代广珍 杨金 
国家自然科学基金(批准号:61376106);安徽大学研究生创新项目资助的课题~~
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法和VASP软件对电荷俘获存储器过擦现象进行了分析研究.通过形成能的计算,确定了含有氮空位缺陷的Si3N4和含有间隙氧缺陷的Hf O2作为研究的对象;俘获能的计算结果表明两种体系对电子的俘...
关键词：过擦 HFO2 SI3N4 第一性原理 
一种稳健的波束域自适应波束形成算法被引量：4
《计算机应用研究》2014年第4期1151-1153,共3页赵宏鹏 代月花 朱德智 卢金龙 罗京 
国家自然基金青年基金资助项目(61006064);安徽大学学术创新强化项目(01001770)
在波束域算法中,针对波束域期望信号的指向误差落在波束主瓣边缘时波束性能严重恶化,采用波束域旋转矢量法的线性约束来改善波束域自适应算法的性能,同时为提高工程的实施性,减少算法的计算量,利用信号的特征值大于噪声的特征值这一理论...
关键词：波束域 自适应波束形成 特征分解 信号子空间 线性约束最小方差(LCMV) 
缺陷对电荷俘获存储器写速度影响被引量：4
《物理学报》2014年第5期93-99,共7页汪家余 赵远洋 徐建彬 代月花 
国家自然科学基金(批准号:61376106)资助的课题~~
基于密度泛理论的第一性原理以及VASP软件,研究了电荷俘获存储器(CTM)中俘获层HfO2在不同缺陷下(3价氧空位(VO3)、4价氧空位(VO4)、铪空位(VHf)以及间隙掺杂氧原子(IO))对写速度的影响.对比计算了HfO2在不同缺陷下对电荷的俘获能、能带...
关键词：电荷俘获存储器 写速度 铪空位 第一性原理 
单材料双功函数栅MOSFET的电容模型
《半导体技术》2013年第4期268-272,共5页张伟 徐太龙 周茂秀 赵强 代月花 
国家自然科学基金项目(61006064);安徽省高校优秀青年基金项目(2012SQRL013ZD);安徽大学青年研究基金项目(KJQN1011)
基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG)MOSFET的电容模型,分别给出了SMDWG MOSFET的栅-源和栅-漏电容的解析表达式,物理概念清晰,且参数可调。通过与MEDICI模拟结...
关键词：单材料双功函数栅 MOSFET 电容 表面势 等效电路 
自适应-自适应波束形成的零陷加深技术被引量：5
《雷达与对抗》2012年第4期35-38,共4页朱德智 代月花 
对于大型阵列雷达,自适应-自适应波束形成(A-A DBF)是一种能有效减小运算量、易于工程实现的自适应波束形成方法,但在干扰功率起伏较大的背景下,其自适应抗干扰能力受到影响。本文给出了一种先增强A-A DBF协方差矩阵中干扰分量再进行自...
关键词：自适应波束形成 自适应-自适应 零陷 投影矩阵 
有机非挥发性存储器的研究进展被引量：2
《科学通报》2011年第27期2298-2310,共13页刘欣 姬濯宇 刘明 商立伟 李冬梅 代月花 
国家重点基础研究发展计划(2011CB808404;2009CB939703);国家自然科学基金(61001043;60825403)资助项目
有机存储器在未来存储器应用中具有非常光明的前景,因此在学术界和工业界均引起广泛的研究兴趣.近几年来,有机存储器在材料、器件性能及电路集成方面都取得了飞速的发展.本文从器件结构、性能、所用材料与集成等方面,综述了有机存储器...
关键词：有机存储器件 交叉线存储器件 有机薄膜晶体管集成 多值效应 
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