江政

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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：磁控溅射PZT铁电薄膜反应离子刻蚀刻蚀速率退火更多>>
发文领域：医药卫生电子电信更多>>
发文期刊：《分析测试技术与仪器》更多>>
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PZT铁电薄膜底电极制备工艺的研究
《分析测试技术与仪器》2010年第2期78-82,共5页江政 杨成韬 霍伟荣 赵鹏 
国家重点基础研究发展计划(973)预研项目(编号61363z)
利用磁控溅射方法在Si(001)基片上制备Ti/Pt底电极,其厚度大概分别为20、100 nm,其中Ti电极作为缓冲层,随后在上面溅射PZT铁电薄膜.研究了不同电极的制备工艺对电极形貌、取向以及对PZT铁电薄膜的制备带来的影响.结果表明,底电极的溅射...
关键词：磁控溅射 PZT铁电薄膜 底电极 退火 
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