刘洪飞

作品数：1被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：分子束外延生长立方GANGAASGAAS衬底GAN薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜被引量：6
《物理学报》2000年第6期1132-1135,共4页刘洪飞 陈弘 李志强 万里 黄绮 周均铭 罗毅 韩英军 
采用分子束外延方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长出了 0 3微米厚的GaN薄膜 ,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明 ,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜 .
关键词：砷化镓 分子束外延生长 氮化镓薄膜 
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