李志强

作品数：3被引量：9H指数：2
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：GAAS衬底立方GANGAASGAN生长GAN薄膜更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《物理学报》《电子显微学报》更多>>
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全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长(英文)被引量：1
《电子显微学报》2002年第3期270-278,共9页贾金锋 厉建龙 梁学锦 刘熙 王俊忠 刘洪 窦瑞芬 徐茂杰 潘明虎 李绍春 薛其坤 李志强 John S Tse 张振宇 张绳百 
WorkatIOPwassupportedbytheNSFofChina (No .6 96 2 5 6 0 8;6 0 0 76 0 0 9;1 0 1 34 0 30and 6 0 0 2 1 40 3) ;atNRELbytheUSDOE NERSCandtheU .S .DOE SC BESundercontractDE AC36 99GO1 037;andbyOakRidgeNationalLaboratory;managedbyUT Battell;LLC
我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法。该方法的普适性通过研究Si(1 1 1 ) - 7× 7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实。通过对In团族点阵的原位...
关键词：全同周期排列 纳米闭簇阵列 自发生长 扫描隧道显微镜 分子束外延 纳米团簇 人造团簇超晶格 第一性原理理论 
GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜被引量：6
《物理学报》2000年第6期1132-1135,共4页刘洪飞 陈弘 李志强 万里 黄绮 周均铭 罗毅 韩英军 
采用分子束外延方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长出了 0 3微米厚的GaN薄膜 ,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明 ,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜 .
关键词：砷化镓 分子束外延生长 氮化镓薄膜 
非晶态Fe_(86)M_4Zr_(10)合金的磁性和电性被引量：2
《物理学报》1990年第1期143-148,共6页李志强 陈金昌 赵见高 沈保根 李德修 
国家自然科学基金;中国科学院磁学开放研究实验室基金资助的课题
本文研究了非晶态Fe_(86)M_4Zr_(10)(M=V,Cr,Mn,Fe,CO,Ni,Cu,B,Si)合金的基本磁性和低温电性,讨论了不同元素M的掺杂对FeZr合金居里温度和磁矩的影响,并用相干交换散射模型解释了样品在居里温度附近出现的电阻率极小。
关键词：非晶态合金 Fe86Me4Zr10 磁性 电性 
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