徐淑丽

作品数：4被引量：10H指数：2
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供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
发文主题：INSB焦平面器件焦平面探测器均匀性应力更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
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InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究
《红外技术》2012年第3期151-154,共4页徐淑丽 张国栋 
随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀...
关键词：干法刻蚀 电感耦合等离子体(ICP) INSB 刻蚀速率 
InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究被引量：6
《激光与红外》2009年第9期948-951,共4页张国栋 徐淑丽 赵鸿燕 朱炳金 李小宏 
利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低...
关键词：INSB 感应耦合等离子 反应刻蚀 台面形貌 I-V曲线 
混成式InSb焦平面器件的湿法倒角技术研究被引量：3
《红外与激光工程》2007年第z2期526-528,共3页徐淑丽 王海珍 
针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺,并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对电路连通性的影响等实验。结果表明,用湿法倒角技术不仅使InSb边缘没有尖锐的角,并且对器件的电性能没有...
关键词：湿法倒角 INSB 焦平面器件 
应力制约的InSb焦平面探测器均匀性被引量：1
《红外与激光工程》2007年第z1期67-69,共3页曹光明 耿东峰 徐淑丽 蒲季春 杨雪锋 李龙 何英杰 吴伟 张国栋 付浩 
采用焦平面探测器均匀性作为衡量InSb芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb焦平面探测器的均匀性,取得了响应非均匀性为3.0%的结果.
关键词：INSB 焦平面探测器 应力 均匀性 
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