曾波

作品数：5被引量：12H指数：2
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发文领域：电子电信电气工程更多>>
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MOSFET输出电容的非线性对振荡频率的影响被引量：4
《微计算机信息》2007年第29期258-259,230,共3页刘平 刘晓芳 曾波 宋惠娜 
国家自然科学基金资助(10275021)
MOSFET的寄生参数会影响振荡器的性能指标。例如:漏极与源极之间的寄生电容(输出电容COSS)的存在会影响振荡器的频率。而且,COSS呈非线性特性。本文独具创新,以MOSFET的寄生电容作为振荡器的谐振电容。在这篇文章中,构造了包含非线性电...
关键词：输出电容 非线性 振荡频率 
MOSFET输出电容的非线性对振荡谐波的影响被引量：5
《微计算机信息》2007年第32期283-285,共3页刘平 宋慧娜 刘晓芳 曾波 
国家自然科学基金资助项目(10275021)
MOSFET的输出电容COSS具有非线性。在射频震荡器中,电容的这一非线性会影响振荡器的谐波分量。本文选取不同直流电源电压和输出电压,对在不同工作状态下振荡器的输出谐波分量进行了Matlab数值分析。实验结果验证了数值分析的结论。
关键词：输出电容 非线性 谐波分量 
MOSFET输出电容非线性对振荡器工作状态影响
《电力电子技术》2007年第8期96-98,共3页刘平 曾波 刘晓芳 宋慧娜 
国家自然科学基金资助(10275021)~~
由于MOSFET漏源极间的非线性寄生电容,也即输出电容Co的存在会影响振荡器的工作状态及效率。因此,构建了包含非线性电容的振荡电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,用Matlab分析了非线性电容Co对振荡器的工作状态及其效率的影响。...
关键词：振荡器 晶闸管/金属氧化物半导体场效应晶体管 
E类放大电路中晶体管的功率损耗
《现代电子技术》2007年第16期171-173,176,共4页刘平 曾波 
国家自然科学基金资助(10275021)
在理想情况下,E类放大电路的效率可以达到100%,因此E类放大电路适用于高功率,高频率电路的设计,但在实际情况下,由于所有的器件都不是理想的。例如,电感、电容中会有寄生电阻的存在,晶体管的饱和电压,饱和电阻以及集电极电流的下降时间...
关键词：E类放大器 晶体管 功率损耗 DC-DC变换器 
一种E类逆变器及其IGBT串联均压问题的研究被引量：3
《电力电子技术》2007年第4期34-36,共3页王洋 刘平 曾波 
介绍了一种利用IGBT作为开关器件,可用于感应加热的单端E类软开关逆变器;分析了它的工作原理;给出频率为20kHz,输出功率达6kW时的系统相关参数。为了提高开关的耐压级数,该逆变器采用两个IGBT的串联。此外还分析了因串联IGBT开关不一致...
关键词：逆变器 感应加热/软开关 
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