高志远

作品数：7被引量：11H指数：2
导出分析报告
供职机构：天津大学更多>>
发文主题：图像传感器集成电路设计像素参考电压光电二极管更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信政治法律文化科学更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《南开大学学报（自然科学版）》《传感器与微系统》更多>>
所获基金：国家自然科学基金天津市科技支撑计划天津市自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用于特征提取的小尺寸事件型卷积处理器被引量：2
《传感技术学报》2017年第4期535-541,共7页卢成业 高志远 徐江涛 
国家自然科学基金项目(61604107;61434004)
设计了一款用于动态视觉传感器数据特征提取的小尺寸事件型卷积处理器,该卷积处理器包含了32×32的累加阵列、用于存储卷积核的RAM阵列、左/右移位模块、控制模块和异步的事件读出模块。为了减小面积,设计了2 bit的32×32的RAM阵列来存...
关键词：动态视觉传感器 地址事件表示 小尺寸芯片 卷积芯片 MNIST 脉冲神经网络 
应用使能检测单元的抗辐射数字像素图像传感器
《传感器与微系统》2016年第11期94-96,共3页闫茜 姚素英 高志远 李新伟 徐江涛 
天津市应用基础与前沿技术研究计划资助项目(15JCQNJC42000)
介绍了一种经过抗辐射设计加固的CMOS数字像素图像传感器,并提出了一种可以抵抗单粒子效应的使能检测单元。这个使能检测单元通过将信号传输给三个移位寄存器并判断寄存器输出是否一致来判断和屏蔽单粒子效应。实验结果表明:芯片的最大...
关键词：单粒子效应 设计加固 图像传感器 
基于地址-事件表示的高速二值连通域标记方法被引量：6
《传感技术学报》2016年第3期362-367,共6页闫石 徐江涛 高志远 王含宇 
国家自然科学基金(61274021;61234003)
为提高二值连通域标记的速度,将地址-事件表示AER（Address Event Representation）思想引入到二值图像处理,提出了一种基于事件对等价标号的二值连通域标记方法。该算法无需多次遍历图像中的背景点和冗余目标点,首先将待标记的连通域以...
关键词：二值图像 连通域标记 地址-事件表达 事件对 等价标号 
1种能够抵抗双节点翻转的锁存器设计被引量：1
《南开大学学报（自然科学版）》2015年第6期33-38,共6页徐江涛 李新伟 闫茜 高志远 
天津市科技支撑计划项目(13ZCZDGX02000)
提出了1种可以抵抗双节点翻转的锁存器.该锁存器的反馈回路由保护门、延迟单元以及3选2多数表决器构成.保护门的输出送入表决器进行表决,表决之后的值经过延迟单元之后再反馈给保护门.分析和仿真表明,当单粒子翻转的维持时间小于500 ps...
关键词：锁存器 双节点翻转 建立时间 面积 动态功耗 
用于数字图像传感器的脉冲宽度调制读出方法研究被引量：2
《传感器与微系统》2015年第8期9-12,共4页刘慧颖 李斌桥 高志远 姚素英 
国家自然科学基金资助项目(61036004;61274021)
为提高数字像素图像传感器的动态范围,提出了一种具有自适应参考电压的脉冲宽度调制读出方法。该方法将像素阵列分成包含相同数目像素的像素块,通过参考电压产生模块使每个像素块的参考电压和像素块内光照强度相关,理论上这种结构能够...
关键词：图像传感器 数字像素 脉冲宽度调制 动态范围 自适应参考电压 
可消除时间延时积分型CMOS图像传感器中3管像素复位噪声的读出方法(英文)
《南开大学学报（自然科学版）》2015年第1期77-84,共8页徐超 高静 高志远 韩立镪 姚素英 
supported by National Natural Science Foundation of China(61036004);Natural Science Foundation of Tianjin(13JCQNJC00600)
提出了一种应用于时间延时积分型CMOS图像传感器的读出方法,可以有效的消除3管像素的复位噪声.采用了跨行双采样方法,使得执行减法操作的2个电压信号分别来自于不同行的像素,方法与经过优化的滚筒式曝光方式相结合,可以将像素的复位噪...
关键词：3管像素 复位噪声 时间延时积分 CMOS图像传感器 
大尺寸像素电荷转移的优化方法
《传感技术学报》2013年第11期1525-1531,共7页张冬苓 姚素英 徐江涛 徐超 高志远 韩立镪 
国家自然科学基金项目(61076024;61036004)
为了提高CMOS图像传感器大尺寸像素的电荷转移效率,消除图像拖尾,通过对像素内电荷转移的RC模型分析,提出一种优化电荷转移的方法。从工艺和版图两方面进行优化,工艺方面是在N埋层的形成步骤中增加一步P型杂质注入,使光电二极管内存在电...
关键词：CMOS图像传感器 大尺寸像素 电势梯度 电荷转移效率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部