胡夏融

作品数：2被引量：2H指数：1
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发文主题：串联电阻半导体功率器件功率MOSFET器件功率MOSFET计算量更多>>
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埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响被引量：1
《微电子学》2015年第2期253-257,共5页宋庆文 胡夏融 冯灏 
四川省教育厅科研项目(14ZB0132);西华大学校级重点科研项目(z1323318)
研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,...
关键词：Triple-RESURF 击穿电压 LDMOS 纵向电场 
一种幅频稳定的正弦信号发生器被引量：1
《微电子学》2009年第5期615-618,共4页胡夏融 刘伦才 黄文刚 
提出了一种简易的正弦信号发生器结构,电路前级为一个频率稳定的张弛振荡器,后级为一个三角-正弦信号转换器,利用一种新颖的两级温度系数互补原理,获得了不随温度变化的稳定的输出幅度。该信号发生器工作在±15V电源电压下,频率稳定性...
关键词：振荡器 正弦信号发生器 信号调理电路 
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