宋庆文

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：西华大学物理与化学学院更多>>
发文主题：LDMOSRESURF击穿电压纵向电场TRIPLE更多>>
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埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响被引量：1
《微电子学》2015年第2期253-257,共5页宋庆文 胡夏融 冯灏 
四川省教育厅科研项目(14ZB0132);西华大学校级重点科研项目(z1323318)
研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,...
关键词：Triple-RESURF 击穿电压 LDMOS 纵向电场 
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