刘冰

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发文主题：PECVD法制备PECVD法半导体器件半导体钝化更多>>
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低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜
《山东电子》1998年第2期35-36,共2页刘冰 李宁 
本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。
关键词：钝化 淀积 腐蚀 复合纯化膜 半导体器件 PECVD法 
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