杨美娟

作品数:1被引量:0H指数:0
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供职机构:华南理工大学更多>>
发文主题:衬底尺寸可控非掺杂纳米阵列铝酸锶更多>>
发文领域:电子电信文化科学一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊:《材料研究与应用》更多>>
所获基金:广东省重大科技专项更多>>
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H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
《材料研究与应用》2016年第1期10-15,共6页杨美娟 林云昊 王文樑 林志霆 李国强 
国家优秀青年科学家基金(51422203);广东省杰出青年科学家基金(S2013050013882);广东省重大科技专项资助项目(2014B010119001)
采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H_2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:...
关键词:SI衬底 ALN薄膜 H2 MOCVD 
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