林志霆

作品数：5被引量：10H指数：1
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发文主题：LED芯片出光效率图案衬底图形化更多>>
发文领域：电子电信文化科学理学电气工程更多>>
发文期刊：《材料研究与应用》《半导体技术》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金广东省重大科技专项广东省战略性新兴产业专项更多>>
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H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
《材料研究与应用》2016年第1期10-15,共6页杨美娟 林云昊 王文樑 林志霆 李国强 
国家优秀青年科学家基金(51422203);广东省杰出青年科学家基金(S2013050013882);广东省重大科技专项资助项目(2014B010119001)
采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H_2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:...
关键词：SI衬底 ALN薄膜 H2 MOCVD 
SiN_x插入层对Si衬底上生长GaN薄膜晶体质量和表面形貌的影响
《半导体光电》2015年第2期216-219,225,共5页钱慧荣 周仕忠 刘作莲 杨为家 王海燕 林志霆 林云昊 王文樑 李国强 
国家自然科学基金项目(51372001);广东省杰出青年基金项目(S2013050613882);广东省重大科技专项(2011A080801018);广东省LED战略专项基金项目(2011A081301010;2011A081301012)
在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响。结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入S...
关键词：SI衬底 GAN薄膜 SiNx插入层 MOCVD 
六棱锥衬底旋转角影响LED效率的模拟探究被引量：1
《半导体光电》2013年第3期374-378,共5页何攀贵 王海燕 乔田 周仕忠 林志霆 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2011A081301014,2011A081301012)
以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°～30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋势,底部...
关键词：LED 图形化衬底 六棱锥 模拟 旋转角 
垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
《半导体光电》2013年第2期186-189,263,共5页郝锐 马学进 马昆旺 林志霆 李国强 
国家自然科学基金项目(51002052);广东省重大科技专项项目(2011A080801018);广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A081301014)
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响...
关键词：绿光LED INGAN 多量子阱 Si掺杂 量子限制Stark效应 
图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展被引量：9
《半导体技术》2012年第6期417-424,共8页周仕忠 林志霆 王海燕 李国强 
蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生长在蓝宝石衬底上GaN之间的差排缺陷,提高磊晶质量以解决失配问...
关键词：蓝宝石 图形化衬底 发光二极管(LED) GAN 制备工艺 
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