刘培植

作品数：7被引量：15H指数：1
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供职机构：太原理工大学更多>>
发文主题：石墨烯SUB催化剂碳聚焦离子束更多>>
发文领域：理学化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《应用化工》《电子显微学报》《功能材料》《新型炭材料（中英文）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山西省高等学校科技创新项目山西省自然科学基金山西省科技重大专项更多>>
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硬炭微球/MXene柔性薄膜负极应用于高性能钠离子存储被引量：1
《新型炭材料（中英文）》2022年第6期1154-1162,共9页曹海亮 杨良滔 赵敏 刘培植 郭春丽 许并社 郭俊杰 
国家自然科学基金(U1810204,U1910210,U21A20174),山西省应用基础研究计划青年科技研究基金(201901D211046,20210302123115).
硬炭被认为是钠离子电池最有前景的负极材料,但在嵌钠/脱钠过程中的体积变化限制了硬炭的循环寿命。本文构建了一种无黏结剂、集流体的硬炭微球/MXene薄膜电极,并对其钠离子的存储性能进行了研究。以山西老陈醋为液相碳源,制备了单分散...
关键词：钠离子电池 硬炭微球 MXene 负极 柔性 
HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征
《功能材料》2021年第8期8094-8099,共6页朱佳 岳明月 李天保 刘培植 郭俊杰 许并社 
国家自然科学基金资助项目(51672185);山西省自然科学基金资助项目(201801D121101)。
实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_(3)源区温度、NH_(3)流量和N_(2)载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(E...
关键词：HCVD InCl_(3) InN纳米棒 NH_(3)流量 载气流量 
碳基材料原子尺度低损伤透射电子显微分析被引量：1
《新型炭材料》2021年第3期497-511,共15页刘培植 郝兵 章海霞 许并社 郭俊杰 
国家自然科学基金(52001222);山西省科技重大专项(20191102004);山西省基础研究项目(201901D111107,201901D211046);山西省高等学校科技创新项目(2019L0120,2019L0253,2019L0346);山西省高等学校创新人才支持计划;三晋学者基金;山西省引进海外高层次人才创新团队.
近年来,石墨烯、金属有机框架(MOFs)、聚合物、生物大分子等碳基材料在物理、化学、材料、生物学等领域受到了持续增长的关注,但由于其微观结构在电子束辐照下的不稳定性导致原子分辨率的实验观察仍面临巨大的挑战。原子结构的认识不足...
关键词：透射电子显微分析 电子束敏感碳基材料 原子分辨率 低加速电压 低电子剂量 
硫掺杂三维多孔石墨烯/无定形碳复合材料的制备及其析氧性能研究被引量：1
《应用化工》2021年第5期1218-1221,共4页任壮 王佳斌 张育萌 侯莹 刘培植 章海霞 
国家自然科学基金(51701137,51703150);山西省面上自然基金(201701D121043);山西省高等学校科技创新项目(2019L0253)。
以氧化石墨烯(GO)、硫脲、蔗糖作为原料,通过水热反应和高温退火制备了S掺杂三维多孔石墨烯和无定形碳交替的类三明治结构材料(SGC)。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线粉末衍射仪(XRD)等对样品形貌和结构等进行分...
关键词：氧化石墨烯 掺杂 碳材料 无金属催化剂 析氧反应 
低温CVD法制备石墨烯的研究进展被引量：12
《新型炭材料》2020年第3期193-208,共16页王佳斌 任壮 侯莹 闫晓丽 刘培植 张华 章海霞 郭俊杰 
国家自然科学基金(51701137,51703150);山西省自然科学基金(201701D121043);山西省高等学校科技创新项目(2019L0253).
石墨烯是一种由sp^2杂化碳原子组成的二维碳纳米材料。由于其特殊的性质,在世界范围内引起了广泛的关注和研究。化学气相沉积法(CVD)是制备石墨烯最有效、最常用的方法。然而,传统的CVD石墨烯生长温度非常高(1 000℃),这不仅使得石墨烯...
关键词：石墨烯 低温 化学气相沉积 
石墨烯基电子学中的平面异质结研究进展（英文）
《新型炭材料》2018年第6期481-492,共12页刘俊江 李锐杰 李杭 李贻非 易俊何 王海成 赵晓冲 刘培植 郭俊杰 刘磊 
二维平面晶体,由于能带结构的多样性和与半导体平面工艺兼容的特点,被认为在电子学中是延续摩尔定律的候选材料之一;同时它具备易转移、光学透明、能带可调等特点,在柔性电子学和光电子学方面展示出巨大的潜在应用。将电路所需的具有不...
关键词：石墨烯 面内异质结 界面结构 场效应晶体管 逻辑器件 
SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构
《电子显微学报》2015年第5期371-376,共6页刘培植 许并社 郭俊杰 
山西省青年科技研究基金资助项目(No.2015021071);山西省国际科技合作计划(No.2015081045)
碳化硅(Si C)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件中。目前的Si C基金属氧化物半导体场效应晶体管器件存在的主要问题是沟道电子迁移率低。Si C/Si O2界面处的过渡层被认为是造成沟道电子迁移率低的主要原因,但是该过渡层的...
关键词：扫描透射显微镜 变聚焦图像序列 三维重构 界面 沟道电子迁移率 
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