彭烈涛

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文主题：退火铁电薄膜电导率底电极制备及性能更多>>
发文领域：自动化与计算机技术化学工程更多>>
发文期刊：《信息记录材料》更多>>
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铁电薄膜存储器底电极Pt/Ti的制备及性能研究被引量：4
《信息记录材料》2002年第3期9-12,共4页彭烈涛 林更琪 廖红伟 李震 李佐宜 
应用射频磁控溅射方法 ,在Si基片上采用不同的溅射工艺制备了铁电薄膜底电极Pt/Ti,并分析了在不同温度下退火后材料的电导率性能和粘结力性能 ,从理论和实验上分析了不同的溅射工艺和退火处理对底电极性能的影响。
关键词：铁电薄膜 存储器 底电极 Pt/Ti 制备 性能 研究 电导率 粘结力 退火 
具有非磁性中间层的RE-TM双层垂直磁化膜耦合研究
《信息记录材料》2002年第2期10-12,21,共4页王浩敏 林更琪 廖红伟 彭烈涛 李 震 王 可 
研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层（TbFeCo）和写入层（DyFeCo）中加入TiN非磁性层后的耦合性能。当 TiN层为 3～21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为 0.2～0.3 erg/cm2,如果能精确控制 TiN的厚度,就可以控制层间耦合能,...
关键词：非磁性中间层 RE-TM双层垂直磁化膜 耦合 研究 交换耦合 磁光薄膜 
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