陶垠波

作品数：2被引量：4H指数：1
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一种简单的高精度3阶补偿带隙电压基准源被引量：4
《微电子学》2013年第4期460-463,共4页吴杰 方健 杨毓俊 陶垠波 臧凯旋 
基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点。设计采用0.5μm BiCMOS工艺,仿真结...
关键词：3阶补偿 带隙电压基准源 BICMOS 
一种带氧化槽的双栅LDMOS
《微电子学》2013年第2期287-291,共5页臧凯旋 方健 吴杰 贺雅娟 陶垠波 
提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的...
关键词：氧化槽 双栅 比导通电阻 LDMOS 功率器件 
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