张宇

作品数:5被引量:8H指数:2
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供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题:光电探测器锗硅应变层PIN光电探测器硅基更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《红外与激光工程》《半导体技术》《光电技术应用》《激光与光电子学进展》更多>>
所获基金:国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
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高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
《红外与激光工程》2008年第3期440-443,共4页李欢 牛萍娟 杨广华 李俊一 张宇 常旭 张秀乐 
国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030)
介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和...
关键词:光电探测器 锗硅 缓冲层 Silvaco 
硅基PIN光电探测器的设计与模拟被引量:4
《半导体技术》2007年第9期753-756,共4页李欢 牛萍娟 张宇 李俊一 杨广华 
国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030)
介绍了单片集成硅光接收器的研究背景,阐述了硅光电探测器的工作机理。设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器,并用Silvaco软件对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流分别...
关键词:单片集成 光接收器 光电探测器 Silvaco 
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
《半导体技术》2007年第5期406-409,共4页李欢 牛萍娟 李俊一 张宇 王伟 
国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030)
介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方面入手,提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案,包括采用生长缓冲层来减小位错的方法、生长高...
关键词:锗硅 探测器 应变层 
近红外锗硅光电探测器的研究进展被引量:2
《光电技术应用》2006年第4期18-21,37,共5页李欢 牛萍娟 李俊一 张宇 
国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030)
介绍了单片集成硅基光接收器相对于混合集成光接收器在光纤通信领域的应用优势,介绍了与硅微电子工艺兼容的、工作在波长λ=0.80~1.60μm近红外波段的锗硅光电探测器在单片集成硅基光接收器中的应用价值.描述了SiGe应变层特性.详...
关键词:SIGE 应变层 近红外 光电探测器 
全硅片上光互连用波导被引量:2
《激光与光电子学进展》2006年第8期27-31,共5页代晓光 牛萍娟 张宇 陈弘达 毛陆虹 郭维廉 
国家自然科学基金项目(NSFC605360300);天津市应用基础研究重点项目(043800811)
较详细地分析了用于全硅片上光互连所用光波导(如多晶Si/SiO_2、Si/SiO_2、Si_3N_4/SiO_2)需满足的基本条件、制作方法以及损耗机制,总结了目前的研究进展。
关键词:光电子集成 光波导 互补型金属氧化物半导体(CMOS)  
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