吕彬义

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文主题：表面势HEMT超高频标签芯片UHF_RFID更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子器件》更多>>
所获基金：浙江省科技攻关计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
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基于表面势的HEMT模型分析被引量：1
《半导体技术》2010年第4期320-324,共5页吕彬义 孙玲玲 孔月婵 陈辰 刘军 陈磊 
国家自然科学基金(60706002);CETC55所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防重点实验室基金(9140C1402030803)
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件...
关键词：高电子迁移率管晶体管 表面势 泊松方程 Pao-sah模型 
低压低功耗无源UHF RFID标签芯片模拟前端电路的设计被引量：3
《电子器件》2009年第6期1035-1039,共5页章少杰 孙玲玲 洪慧 罗世钦 吕彬义 
浙江省重大科技项目资助(2006C11106)
本文从设计符合EPCTMC1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计。通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端。该...
关键词：超高频(UHF) 射频识别(RFID) 低电压 低功耗 
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