郝建民

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离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响
《兵器材料科学与工程》2015年第6期45-47,共3页程萍 郝建民 
浙江省青年基金(LQ14F040004)
利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-Si C外延片中本征缺陷ESR谱的影响。结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61%,...
关键词：4H-SIC 离子注入 本征缺陷 
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