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检索条件:"作者=杨宝均 "
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低压MOCVD ZnSeTe ZnSe多量子阱的制备及质量判别
《人工晶体学报》1997年第3期331-331,共1页赵晓薇 范希武 张吉英  于广友 申德振 
宽带ⅡⅥ族半导体如ZnSe,ZnTe等材料在室温有大的禁带宽度,成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料,因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ZnSeTe三元化合物和ZnSeTeZnSe多层结构的报道却很少见,而且其中大都...
关键词:化学气相沉积法 多量子阱 硒化锌 碲化锌 半导体 
ZnSe-CdZnSe多量子阱F-P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳
《发光学报》1996年第2期172-174,共3页栗红玉 申德振 张吉英 范希武  
ZnSe-CdZnSe多量子阱F-P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉,申德振,张吉英,范希武,(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)(中国科学院长春物理研究所,长春130021)近...
关键词:硒化锌 CdZnSe 光双稳器件 激子光双稳 
ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性
《Journal of Semiconductors》1998年第1期12-15,共4页栗红玉 申德振 张吉英  范希武 
中国科学院院长基金
本文采用泵浦-探测技术研究了ZnSe/ZnCdSe多量子阱室温激子饱和吸收,并根据K-K关系计算得到521.6nm至544nm的光学非线性折射率的变化.观测到由折射率变化引起的ZnSe/CdZnSe多量子阱光双稳器件...
关键词:多量子阱 激子光学非线性 宽带Ⅱ-Ⅵ族 半导体 
OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性被引量:1
《发光学报》1990年第4期239-248,共10页 田华 
本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延层。以光泵浦作激...
关键词:硒化锌 薄膜 生长 激光 OMVPE 
常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光被引量:1
《发光学报》1996年第1期89-90,共2页张吉英  范希武 吕有明 申德振 
国家863光电子主题资助;中国科学院长春物理所激发态物理开放研究实验室资助
常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光张吉英,,范希武,吕有明,申德振(中国科学院长春物理研究所.长春130021)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)蓝色电致发光和激光器...
关键词:硒化锌 二极管 电致发光 蓝绿色 
ZnTe_xSe_(1-x)外延层的室温发光特性被引量:1
《光电子.激光》1997年第6期417-420,共4页张吉英  申德振 范希武 
国家自然科学基金;长春物理研究所激发态物理开放实验室资助
用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了ZnTexSe1-x单晶薄膜。在N2分子激光器激发下,首次在室温,ZnTe0.005Se0.995单晶层中观测到它的蓝带(S1)发光。随x值增...
关键词:LP-MOCVD 衬底 单晶薄膜 砷化镓 硒化锌 碲化锌 
ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子线增宽
《人工晶体学报》1997年第3期369-369,共1页郑泽伟 范希武 郑著宏  
本文主要讨论ZnCdTe-ZnTe多量子阱激子线的匀增宽和非匀增宽效应。实验所有样品为常压MOCVD系统在GaAs(100)衬底上生长的含30个周期的ZnCdTe-ZnTe多量子阱材料。做光致发光实验时用配有RC...
关键词:半导体 多量子阱 激子特性 
在SiO_2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究被引量:6
《发光学报》1997年第2期182-184,共3页于广友 范希武 申德振 张吉英  蔡强 
在SiO2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究于广友范希武申德振张吉英(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)蔡强(吉林大学化学系,长春1300...
关键词:分子筛 纳米晶 内延生长 硫化镉 纳米材料 
ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽
《半导体光电》1999年第6期413-415,共3页郑泽伟 范希武 郑著宏  
空军基础理论课题资助项目!(KJ9801)
通过对Zn xCd1 - xTe- ZnTe 多量子阱的光致发光研究,讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非匀增宽的主要来源,而由流体力学性质决定的涨落,在组分张落中起着非常重要的作用。
关键词:多量子阱 激子 匀增宽 组分涨落 
ZnCdse-ZnSe多量子阱中的激子发光
《发光学报》1994年第2期89-93,共5页张吉英 范希武  关郑平 吕有明 申德振 
国家"863"计划光电子主题;国家"攀登计划";中国科学院长春物理所激发态物理开放实验室资助
在77-300K温度下研究了Zn(1-x)CdxSe-ZnSe多量子阱(MQWs)的光致发光特性.首次在77K,Ar离子激光器的457.9nm激发下,在Zn(0.68)Cd(0.32)Se-ZnseMQWs中观测到5...
关键词:激子 发光 光致发光 多量子阱 
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