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检索条件："关键词=双极MOS场效应晶体管 "
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BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟被引量：1
《电子器件》2004年第3期493-497,共5页曾云 高云 晏敏 盛霞 滕涛 尚玉全 
对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,...
关键词：双极MOS场效应晶体管 温度特性 理论分析 计算机模拟 
基于SOI的双极场效应晶体管被引量：1
《微细加工技术》2004年第4期16-21,共6页曾云 滕涛 晏敏 高云 尚玉全 
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底...
关键词：双极MOS场效应晶体管 绝缘衬底上的硅 体硅 固体电子器件 
BJMOSFET频率特性的模拟分析被引量：2
《湖南大学学报（自然科学版）》2005年第1期33-36,共4页曾云 尚玉全 晏敏 盛霞 滕涛 高云 
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法...
关键词：双极MOS场效应晶体管 频率特性 模拟分析 
短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
《功能材料与器件学报》2008年第4期831-834,共4页曾云 李晓磊 张燕 张国樑 王太宏 
湖南省自然科学基金计划资助(No.05JJ30115)
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分...
关键词：短沟道 绝缘衬底上硅 双极MOS场效应晶体管 阈值电压 
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