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检索条件："关键词=投影射程和射程离散 "
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铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究被引量：1
《物理学报》2014年第17期205-209,共5页秦希峰 马桂杰 时术华 王凤翔 付刚 赵金花 
国家自然科学基金(批准号:11205096);山东省自然科学基金(批准号:ZR2011AM011;ZR2013AM014);山东建筑大学博士基金(批准号:XNBS1341);济南市科技发展项目(批准号:201202092;OUT_02440)资助的课题~~
利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的.用200—500 keV能量的铒(Er)离子注入SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上的硅)样品中,利用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了...
关键词：离子注入 绝缘体上Si 投影射程和射程离散 卢瑟福背散射技术 
铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究被引量：2
《物理学报》2011年第6期483-487,共5页秦希峰 梁毅 王凤翔 李双 付刚 季艳菊 
山东建筑大学校内基金(批准号:XN070109);山东省自然科学基金(批准号:ZR2009FM031)资助的课题~~
用300—500keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值...
关键词：离子注入 投影射程和射程离散 退火行为 卢瑟福背散射技术 
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