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检索条件:"关键词=InGaP/GaAs异质结双极晶体管 "
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A Monolithic InGaP/GaAs HBT VCO for 5GHz Wireless Applications被引量:1
《Journal of Semiconductors》2007年第6期823-828,共6页陈立强 张健 李志强 陈普锋 张海英 
国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~
A monolithic voltage controlled oscillator (VCO) based on negative resistance principle is presented uti-lizing commercially available InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor (HBT) technology. This VCO is de...
关键词:VCO MMIC wireless communication InGaP/GaAs HBT 
基于三维模型的InGaP/GaAs HBT单粒子效应仿真
《电子元件与材料》2020年第4期90-94,共5页温景超 李旭红 吴立强 王宇 何忠名 
为全面评估航天型号用元器件的抗辐射性能,对InGaP/GaAs异质晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)的单粒子效应进行了仿真研究。首先,介绍了空间辐射环境中重离子诱发器件产生单粒子瞬态脉冲的机理。然后,建立了InGaP/G...
关键词:InGaP/GaAs异质晶体管 三维模型 单粒子效应 重离子 瞬态脉冲电流 
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