铌酸锂CMP速率的影响因素分析  

Analysis of Factors Affecting CMP Removal Rate of Lithium Niobate

作　　者：檀柏梅[1] 牛新环[1] 韩丽丽[1] 刘玉岭[1] 崔春翔[1] 

机构地区：[1]河北工业大学,天津,300130 河北工业大学,天津,300130 河北工业大学,天津,300130 河北工业大学,天津,300130 河北工业大学,天津,300130

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期574-578,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速率的影响机制,并得出优化的CMP方案.

关 键 词：铌酸锂 CMP 去除速率 抛光液 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]