韩丽丽

作品数：3被引量：13H指数：2
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供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文主题：抛光液CMP去除速率铝化学机械抛光更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《微电子学》《Journal of Semiconductors》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
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ULSI铝布线化学机械抛光研究被引量：2
《微电子学》2012年第4期576-579,583,共5页韩丽丽 刘玉岭 牛新环 王如 王辰伟 
在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低...
关键词：甚大规模集成电路 铝布线 化学机械抛光 抛光液 
碱性条件下铝CMP的机理分析及实验优化被引量：8
《微纳电子技术》2012年第4期280-284,共5页韩丽丽 刘玉岭 牛新环 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
依据铝的电化学腐蚀特性,阐明了碱性条件下铝化学机械抛光(CMP)的机理。由于铝的硬度较低,在抛光过程中容易产生微划伤等缺陷,因此首先探索出适宜铝化学机械抛光的低压条件(4 psi,1 psi=6.895 kPa)。此外,提出两步抛光的方法,在抛光初...
关键词：铝(Al) 化学机械抛光(CMP) 抛光液 去除速率 表面活性剂 
铌酸锂CMP速率的影响因素分析被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期574-578,共5页檀柏梅 牛新环 韩丽丽 刘玉岭 崔春翔 
对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速...
关键词：铌酸锂 CMP 去除速率 抛光液 
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