一维半导体器件的特征有限体积元方法及分析  

FINITE VOLUME ELEMENT METHOD ALONG CHARACTERISTICS FOR THE ONE DIMENSION SEMICONDUCTOR DEVICE

作　　者：陈传军[1] 

机构地区：[1]山东大学数学与系统科学学院,济南250100

出　　处：《高等学校计算数学学报》2005年第3期279-288,共10页Numerical Mathematics A Journal of Chinese Universities

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助项目(G1999032803)国家自然科学基金资助项目(10372052;10271066)教育部博士点基金资助项目(20030422047).

摘　　要：1引言 有限体积元方法作为求解微分方程的一种新技术,日益受到普遍关注.本文将特征线方法与有限体积元方法相结合,构造出特征有限体积元方法,该方法综合了特征有限差分方法和特征有限元方法的主要优点,与特征有限差分方法相比,它保持了差分方法的计算简单性,而且具有网格剖分灵活,可以在不规则网格上计算的优点;与有限元方法相比,它具有计算量小,格式直观易于计算的优点,而且可以近似达到有限元的精度.Using Hermite cubic polynomial trial flmction and piecewise linear test ruction,combining the method of characteristics with finite volume element method, we give a full discrete finite volume element method along characteristics. Under general condition we get a suboptimal L^2 error estimates O（h^3 ＋ △t）.

关 键 词：有限体积元方法 特征线方法 半导体器件 有限差分方法 特征有限元方法 一维 微分方程 求解 

分 类 号：O241.82[理学—计算数学] V434[理学—数学]