ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究  

Study of the Chemical-Mechanical Global Planarization of Low-k Dielectric in ULSI

作　　者：尹睿[1] 刘玉岭[1] 李薇薇[1] 张建新[1] 

机构地区：[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130

出　　处：《微纳电子技术》2006年第3期154-158,共5页Micronanoelectronic Technology

基　　金：天津市重点自然科学基金(043801211);微电子学与固体电子学:河北省重点学科

摘　　要：针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。The tric material is perature in the rate and surface chemical-mechanical global planarization mechanism to the common low＆ dielecanalyzed. The effect of several factors including pressure, abrasive, pH and temchemical-mechanical polishing process of low＆ dielectric material on the polishing appearance are discussed.

关 键 词：全局平坦化 化学机械抛光 低K介质 机理 抛光液 

分 类 号：TN405.2[电子电信—微电子学与固体电子学]