适用于先进电子封装技术的低熔点高熵钎料SnPbInBiSb与铜基板的界面反应  

Interfacial Reaction Between Low-Temperature High Entropy Solder Alloy SnPbInBiSb and Cu Substrate for Advanced Electronics Packaging Technology

作　　者：王帅 田艳红 WANG Shuai;TIAN Yanhong

机构地区：[1]不详

出　　处：《电子与封装》2023年第5期94-94,共1页Electronics & Packaging

摘　　要：随着人工智能和物联网技术的迅速发展,电子器件多功能化、微型化的需求日益高涨,具有高密度互连结构的三维封装技术可以很好地解决这些问题。在三维封装中芯片通过硅通孔、微凸点、C4焊点以及BGA焊点进行垂直堆叠互连。为了提升垂直互连的可靠性,三维封装中采用梯度焊点进行封装。通常将焊点按照工艺温度分成3个层级,第一、二、三级焊点的工艺温度分别约为300℃、200℃、150℃。Sn-Bi共晶钎料作为常见的低温焊料,有望运用在第三级焊点中,但Sn-Bi共晶钎料焊点脆性大且抗热疲劳性差,焊点易失效。业界亟需低温高可靠性钎料替代Sn-Bi共晶钎料,提升低温焊点的长期服役可靠性。

关 键 词：高密度互连 三维封装 物联网技术 垂直互连 硅通孔 电子封装技术 BGA焊点 工艺温度 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TG454[金属学及工艺—焊接]