一种适合SOI全介质隔离电路的平坦化技术  

A Planarization Technique for Fully Dielectrically Isolated SOI IC's

作　　者：杨国渝 税国华[1] 张正元[2] 吴健 

机构地区：[1]模拟集成电路国家重点研究室,重庆400060 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2003年第6期531-533,共3页Microelectronics

基　　金：国家高技术研究发展专项经费资助(2002AA404080)

摘　　要：　介绍了一种适合制作SOI全介质隔离电路的平坦化技术。该技术采用外延多晶硅回填隔离槽,并结合化学机械抛光,使SOI全介质隔离完成后形成的表面能达到单晶硅抛光材料的水平。该工艺适合制作某些具有特殊要求的集成电路、MEMS器件构件以及将电路和MEMS构件集成在同一硅片上的一体化加工。A planarization technique is presented,in which the isolation trench is refilled with epitaxial polysilicon and chemical-mechanical polishing (CMP) is used to make the surface of the fully dielectrically isolated SOI as smooth as polished single-crystal Si wafers. This technique is applicable for manufacturing integrated circuits with special requirements,MEMS devices,and it is also suitable for processing of MEMS devices incorporated into IC's.

关 键 词：SOI 全介质隔离电路 多晶硅 平坦化 化学机械抛光 MEMS 

分 类 号：TN431[电子电信—微电子学与固体电子学]