上海市科学技术委员会资助项目(04JC14013)

作品数：2被引量：2H指数：1
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ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
《化学学报》2006年第11期1133-1139,共7页任杰 陈玮 卢红亮 徐敏 张卫 
中国博士后科学基金(No.2004035450);上海市科委基金(No.04JC14013);河北科技大学科研基金资助项目.
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反...
关键词：原子层淀积 密度泛函理论 高介电常数栅介质 氧化锆 
原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展被引量：2
《功能材料》2005年第6期809-812,816,共5页卢红亮 徐敏 张剑云 陈玮 任杰 张卫 王季陶 
国家自然科学基金资助项目(60176013);上海市科委重点资助项目(04JC14013)
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基...
关键词：原子层淀积(ALD) 金属氧化物薄膜 高K材料 
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