浙江省教育厅科研计划(KYG051205053)

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RF-S01建模：一种精确的体接触RF-LDMOSFET大信号模型
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1786-1793,共8页刘军 孙玲玲 李文钧 钟文华 吴颜明 何佳 
提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffusedMOSFET)大信号等效电路模型.模型漏电流及偏置相关电容模型方程连续、任意阶次可导.发展出一种新的可满足电荷守恒栅源、栅漏电容模...
关键词：RF-SOI LDMOSFET 体接触 大信号模型 可导 谐波功率 
A Patterned SOI LDMOSFET by Masked SIMOX for RF Power Applications
《Journal of Semiconductors》2007年第4期480-483,共4页李文钧 孙玲玲 刘军 
浙江省教育厅科技计划资助项目(批准号:KYG051205053)~~
A novel patterned-SOI LDMOSFET with a silicon window beneath the p-type channel was designed and fabricated for RF power amplifier applications. This novel device has good DC and RF characteristics. It has no kink eff...
关键词：patterned-SOI LDMOSFET SIMOX RF power amplifier 
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