全球变化研究国家重大科学研究计划(2006CB932202)

作品数：4被引量：4H指数：1
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相关机构：南京大学紫琅职业技术学院更多>>
相关期刊：《微电子学》《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关主题：纳米硅浮栅二氧化硅双势垒X射线光电子谱更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
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纳米硅单电子存储器研究进展
《微电子学》2011年第2期274-278,共5页丁宏林 岳云峰 顾拥军 陈坤基 
国家自然科学基金资助项目(90301009;60571008);国家重大科学研究计划项目(2006CB932202);紫琅职业技术学院教育科研项目(2010003)
纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非挥发性存储器的研究中最有可能成为未来快闪存储器的候选者之一。文章论述了纳米硅单电子存储器的工作原...
关键词：单电子存储器 纳米硅 快闪存储 浮置栅 
量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟
《物理学报》2008年第11期7052-7056,共5页刘奎 丁宏林 张贤高 余林蔚 黄信凡 陈坤基 
国家重大科学研究计划项目(批准号:2006CB932202);国家自然科学基金(批准号:90301009,60571008)资助的课题~~
通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究...
关键词：三栅单电子FET存储器 量子效应 薛定谔方程 泊松方程 
控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3
《物理学报》2008年第7期4482-4486,共5页丁宏林 刘奎 王祥 方忠慧 黄健 余林蔚 李伟 黄信凡 陈坤基 
国家自然科学基金(批准号:90301009,60571008);国家重大科学研究计划项目(批准号:2006CB932202)资助的课题~~
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定...
关键词：等离子体氧化 二氧化硅 纳米硅 控制氧化层 
氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第4期468-471,492,共5页宋捷 王久敏 余林蔚 黄信凡 李伟 陈坤基 
国家自然科学基金面上项目(60571008;60471021);国家重大科学研究计划(2006CB932202)
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的...
关键词：等离子增强化学淀积 NH3等离子体氮化 X射线光电子谱 电容-电压 界面态密度 
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