国家自然科学基金(60476006)

作品数：3被引量：3H指数：1
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相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《Nuclear Science and Techniques》更多>>
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薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1350-1353,共4页魏星 王湘 陈猛 陈静 张苗 王曦 林成鲁 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60476006)~~
在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术——注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用...
关键词：薄膜厚埋层SOI材料 注氧键合技术 剖面透射电镜 
基于低温键合技术制备SOI材料
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期189-192,共4页詹达 马小波 刘卫丽 宋志棠 封松林 
国家自然科学基金(批准号:60476006和60576014)和上海市重点攻关(批准号:055211001)资助项目
通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut...
关键词：SOI 等离子体活化 键合强度 
Numerical study of self-heating effects of small-size MOSFETs fabricated on silicon-on-aluminum nitride substrate被引量：2
《Nuclear Science and Techniques》2006年第1期29-33,共5页DING Yan-Fang ZHU Ming ZHU Zi-Qiang LIN Cheng-Lu 
Supported by the Special Funds for Major State Basic Research Projects (No.G2000036506);the National Natural Science Foundation of China (No. 60476006)
Compared with bulk-silicon technology, silicon-on-insulator (SOI) technology possesses many advan-tages but it is inevitable that the buried silicon dioxide layer also thermally insulates the metal – oxide – silicon...
关键词：自热效应 微晶管制作 衬底 硅 铝 氮化物 
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