国际科技合作与交流专项项目(2005DFA51050)

作品数：4被引量：14H指数：2
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300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化被引量：7
《稀有金属》2007年第6期737-741,共5页黄军辉 周旗钢 万关良 肖清华 库黎明 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)资助
通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计...
关键词：双面化学机械抛光 轨迹模拟 非均匀性 DSP 
掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
《稀有金属》2007年第6期746-749,共4页韩海建 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)资助
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的vo...
关键词：300mm 流动图形缺陷 氧化诱生层错环 掺氮 
300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2
《稀有金属》2007年第5期585-589,共5页高宇 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)
采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方...
关键词：热应力 模拟 300 MM 硅单晶 
热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析被引量：5
《人工晶体学报》2007年第4期832-836,831,共6页高宇 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(No.2005DFA51050)
本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的...
关键词：模拟 直径300mm硅单晶 热屏 后继加热器 
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