国家自然科学基金(60576002)

作品数：5被引量：14H指数：2
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φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1790-1793,共4页任丙彦 褚世君 吴鑫 于建秀 孙秀菊 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576002)~~
利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,固液界面趋于平坦,有利于结晶潜...
关键词：数值模拟 直拉硅单晶 结晶潜热 导流筒 
Φ200mm CZSi复合式热场的数值模拟研究被引量：2
《稀有金属》2008年第2期161-164,共4页任丙彦 李洪源 张燕 张兵 郭贝 
国家自然科学基金(60576002)资助项目
对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提高晶体生长速率和...
关键词：CZSI 热场 有限元 双加热器 热对流 
Φ200mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究被引量：7
《半导体技术》2007年第2期106-108,120,共4页任丙彦 羊建坤 李彦林 
国家自然科学基金资助项目(60576002)
介绍了Φ200mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0．6 mm／min提高到0．9 mm／min。用有限元法模拟了氩气的流场及单晶炉的热场,模拟结...
关键词：太阳能直拉硅 热屏 双加热器 有限元法 
Study on release rate of latent heat in Czochralski silicon growth被引量：1
《Rare Metals》2006年第z2期51-54,共4页REN Bingyan YANG Jiankun LI Yanlin LIU Xiaoping WANG Minhua 
This project was financially supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576002).
The pulling rate in czochralski silicon (CZSi) growth is important for reducing the cost of solar cell. In this paper, double-heater, heat shield and composite argon duct system were introduced in the Ф450 mm hot zon...
关键词：CZSI latent heat double-heater heat shield numerical simulation 
Effects of argon gas flow rate and guide shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth被引量：3
《Rare Metals》2006年第1期7-10,共4页REN Bingyan ZHAO Long ZHAO Xiuling WANG Huixian CAO Zhongqian ZHU Huimin FU Hongbo 
This project is financially supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60576002).
φ200 mm silicon single crystals were grown in the φ450 mm hot zone of a Czochralski （CZ） furnace. By modifying the pattern and the velocity of the argon flow, the silicon single crystals with different oxygen conc...
关键词：inorganic non-metal material CZSI numerical simulation guide shell oxygen concentration 
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