江苏省自然科学基金(BK2011753)

作品数：4被引量：2H指数：1
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相关期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《电源技术应用》《固体电子学研究与进展》《电子产品世界》更多>>
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600V VDMOS器件的反向恢复热失效机理被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2013年第6期1243-1247,共5页夏晓娟 吴逸凡 祝靖 成建兵 郭宇锋 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61274080);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011753)
为了研究VDMOS器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理,详细分析了600 V VDMOS器件体二极管的工作过程,采用TCAD模拟软件研究了体二极管正向导通和反向恢复状态下的载流子密度分布及温度分布情况.模拟结果表明,VDMOS器件的体二极管在...
关键词：VDMOS 体二极管 反向恢复 热失效 
一种低温漂电流感应电路的分析与设计
《固体电子学研究与进展》2012年第6期600-603,615,共5页夏晓娟 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011753);江苏省高校自然科学基金资助项目(10KJB510015&10KJB510005);南京邮电大学引进人才科研启动基金资助项目(NY210075&NY210076);南京邮电大学教学改革研究项目(批准号:JG03311JX24)
提出了适用于电流模DC-DC转换器的低温漂高精度的电流感应电路,用MOS管线性电阻和负温度系数电阻一起组合来实现。所设计电路应用于一款DC-DC升压转换器中,并在CSMC0.5μm工艺上进行流片验证,在输入电压1.8V,输出3.6V的条件下,带载能力...
关键词：低温漂 电流感应电路 DC—DC 
SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应
《电源技术应用》2012年第8期45-47,共3页成建兵 
江苏省自然科学基金资助(No:BK2011753)
SJ-LDMOST是半导体功率集成技术的核心器件之一,但其击穿电压和比导通电阻之间的优化决定于衬底辅助耗尽效应的消除。这里在分析衬底辅助耗尽效应机理的基础上,将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出通过引入新构造提高...
关键词：SJ—LDMOST 功率集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压 
SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应
《电子产品世界》2011年第12期30-31,共2页成建兵 
江苏省自然科学基金资助(BK2011753)
本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出消除衬底辅助耗尽效应的途径。
关键词：SJ-LDMOST 功率集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压 
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