云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G2000068304)

国家重点基础研究发展计划(G2000068304): 作品数：1被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 相关作者：齐鸣刘训春苏树兵刘新宇王润梅更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：MBE生长MBEINGAPINGAAS/GAASDHBT更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第6期1064-1067,共4页苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068304;2002CB311902);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2SW107)资助项目~~; 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=...; 关键词：MBE InGaAs基区双异质结双极晶体管