国家自然科学基金(51072195)

作品数：7被引量：6H指数：1
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相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院中国科学院大学更多>>
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An aluminum nitride photoconductor for X-ray detection
《Journal of Semiconductors》2012年第10期25-28,共4页王新建 宋航 李志明 蒋红 黎大兵 缪国庆 陈一仁 孙晓娟 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.51072196,51072195)
An AlN photoconductor for X-ray detection has been fabricated,and its response to X-ray irradiation intensity is studied.The photoconductor has a very low leakage current,less than 0.1 nA at an applied voltage of 100 ...
关键词：AlN photoconductor X-ray detection recombination 
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
《发光学报》2012年第10期1089-1094,共6页王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟 
国家自然科学基金(51072196,51072195)资助项目
通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有...
关键词：ALN GAN缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸 
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文)被引量：2
《发光学报》2012年第7期768-773,共6页王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟 
国家自然科学基金(51072196,51072195)资助项目
采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电流-电压(I-V)测试表明:...
关键词：杂质 氮化物 热扩散 
AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文)被引量：1
《发光学报》2012年第5期519-524,共6页贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明 
国家基础研究发展计划(2011CB301901);国家自然科学基金(51072196,51072195,60976011)资助项目
采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长a-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对a-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)我们可以得到,AlN插入层有效地提高了a-AlGaN外延...
关键词：a-AlGaN AlN插入层 应力 拉曼光谱 光致发光 
直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文)被引量：2
《发光学报》2012年第2期227-232,共6页王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 孙晓娟 陈一仁 贾辉 
国家自然科学基金(51072196,51072195)资助项目
通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和光学性质的影响。X...
关键词：晶体结构 光吸收 表面形貌 
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文)被引量：1
《发光学报》2012年第1期82-87,共6页贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明 
国家基础研究发展计划(2011CB301901);国家自然科学基金(51072196,51072195);国家"863"计划(2011AA03A111)资助项目
采用有机金属化学气相沉积设备用两步生长法在(0001)蓝宝石衬底上制备AlN薄膜。研究了预通三甲基铝(TMAl)使衬底铝化对外延AlN的影响。利用高分辨X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析了样品的结晶质量以及外延膜中的残余应力...
关键词：金属有机物气相沉积 ALN 预通三甲基铝(TMAl) 应力 
GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation
《Journal of Semiconductors》2011年第3期61-65,共5页陈一仁 宋航 黎大兵 孙晓娟 李志明 蒋红 缪国庆 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60976011,51072196,51072195);the National Basic Research Program of China(No.2011CB301901)
Based on the principles of metal-semiconductor-metal Schottky barrier photodetectors（MSM-PD）, using the carrier rate equations,the circuit simulation model of a GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector is con...
关键词：MSM structure SIMULATION equivalent circuit ultraviolet detector 
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