江苏省自然科学基金(BK2011059)

作品数：6被引量：8H指数：2
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一种测试功率MOSFET热阻的新方法被引量：2
《微电子学》2014年第1期131-134,共4页卫能 刘斯扬 万维俊 孙伟锋 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059);新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0331)
阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度...
关键词：功率场效应晶体管 结温 热阻 
基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究被引量：2
《电子器件》2013年第4期437-442,共6页于冰 张頔 刘斯扬 孙伟锋 
江苏省自然科学基金项目(BK2011059);新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-10-0331)
研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线...
关键词：LQFP封装 热特性 有限元法 PDP扫描驱动芯片 
动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2013年第4期691-694,共4页徐申 张春伟 刘斯扬 王永平 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61204083);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059);东南大学无锡分校科研引导资金助项目
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区...
关键词：热载流子 恢复效应 退陷阱效应 电荷泵 
700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究
《固体电子学研究与进展》2012年第4期330-335,共6页崔其晖 刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 苏巍 张森 何乃龙 
江苏省自然科学基金支持项目(BK2011059)
详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体器件 瞬态失效机理 温度 
SOI-LIGBT器件正偏安全工作区的研究被引量：2
《电子科技》2012年第7期106-109,113,共5页霍昌隆 刘斯扬 钱钦松 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059)
研究了高压SOI-LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区(FBSOA)的绘制方法。首先,分别提取器件的热阻与热容,并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗,进而根据热阻抗与最大允许功率之间的关系,获得直流与脉冲条件下的正偏安全工作区。同时,还...
关键词：正偏安全工作区 热阻 热容 电热耦合 
SOI双槽隔离结构的耐压特性
《东南大学学报（自然科学版）》2012年第2期234-238,共5页陈健 朱奎英 刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059)
理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以...
关键词：双槽隔离结构 耐压模型 压降不均衡 沟槽纵横比 槽间距 临界击穿电压 
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