国家自然科学基金(61274076)

作品数：6被引量：9H指数：2
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相关机构：大连理工大学上海大学中国科学院更多>>
相关期刊：《仪表技术与传感器》《Journal of Semiconductors》《物理学报》更多>>
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赤铁矿(100)表面的甲醛吸附特性的反应分子动力学模拟被引量：2
《仪表技术与传感器》2021年第3期123-126,共4页姚冠宇 余隽 吴昊 李中洲 黄正兴 唐祯安 
国家自然科学基金(61874018,61274076);中央高校基础研究基金;辽宁省自然科学基金(20180550923)。
为了研究α-Fe_(2)O_(3)(100)表面对甲醛的传感机理以及影响因素,利用Materials Studio软件构建了气体吸附的三维微观模型,使用基于ReaxFF力场的分子动力学方法对气体吸附进行仿真,研究了在300~700 K温度范围内单独甲醛以及甲醛与氧气...
关键词：α-Fe_(2)O_(3) 甲醛 分子动力学 REAXFF 气体吸附 分子模拟 
EHD喷墨打印制备微热板气敏材料的研究被引量：5
《仪表技术与传感器》2020年第4期11-14,19,共5页曹睿 余隽 吴昊 朱思鹏 李中洲 唐祯安 
国家自然科学基金项目(61874018,61131004,61274076)。
采用静电流体动力学(EHD)喷墨打印技术在微热板上沉积了气敏材料。将纳米气敏材料分散到溶剂中制备出墨水,研究了墨水材料、打印距离和针头尺寸等参数对起始电压的影响,实验结果与理论估算相一致。在制备微热板气体传感器的过程中,利用...
关键词：静电流体动力学(EHD)喷墨打印 微热板 气体传感器 纳米材料 电喷 气敏材料 墨水 
应用于微测辐射热计的12位SAR ADC的设计被引量：1
《仪表技术与传感器》2020年第3期31-37,共7页黄伟奇 唐祯安 
国家自然科学基金项目(61131004,61274076,61874018)。
针对红外探测微测辐射热计的应用,设计了一种12位全差分高速低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该设计采用了新型的电荷重分配型数模转换器(DAC),通过对高位码字(MSB)段与低位码字(LSB)段采用两种不同参考电压的方案,使电路在保证...
关键词：逐次逼近 模数转换 低功耗 新型电容阵列 微测辐射热计 
基于微测辐射热计读出电路的DAC设计
《仪表技术与传感器》2018年第8期17-20,24,共5页蔡泓 唐祯安 谢冬雪 黄伟奇 
国家自然科学基金重点项目(NO.61131004);国家自然科学基金项目(NO.61274076)
微测辐射热计受制作材料、工艺等因素的影响存在较大的不均匀性,导致探测信号失真。基于CSMC 0.18μm Mix Singal RF 1P6M工艺设计了一个10位精度的R-2R倒梯形电阻网络数模转换器(DAC),为微测辐射热计读出电路提供可调节的偏置电压,补...
关键词：微测辐射热计 读出电路 非均匀性 R-2R倒梯形电阻网络DAC 
基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究被引量：1
《物理学报》2015年第17期342-348,共7页杨文献 季莲 代盼 谭明 吴渊渊 卢建娅 李宝吉 顾俊 陆书龙 马忠权 
国家自然科学基金(批准号:61176128,61376081,61274076);国家高技术研究发展计划(批准号:2013AA050403);苏州市自然科学基金(批准号:SYG201437);中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所和索尼公司联合项目(批准号:Y1AAQ11002,Y2AAQ11004)资助的课题~~
利用分子束外延方法制备了应用于四结光伏电池的1.05 eV InGaAsP薄膜,并对其超快光学特性进行了研究.温度和激发功率有关的发光特性表明:InGaAsP材料以自由激子发光为主.室温下InGaAsP材料的载流子发光弛豫时间达到10.4 ns,且随激发功...
关键词：In Ga As P 分子束外延 光致发光 载流子发光弛豫时间 
A low-cost infrared absorbing structure for an uncooled infrared detector in a standard CMOS process
《Journal of Semiconductors》2014年第3期97-101,共5页申宁 唐祯安 余隽 黄正兴 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60806038,61131004,61274076);the National HighTechnology Research and Development Program of China(Nos.2006AA040102,2006AA040106)
This paper introduces a low-cost infrared absorbing structure for an uncooled infrared detector in a standard 0.5 m CMOS technology and post-CMOS process. The infrared absorbing structure can be created by etching the...
关键词：infrared absorbing structure CMOS infrared detectors microbolometer low-cost infrared detectors uncooled infrared detectors 
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